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碳化硅（SiC）器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)本測(cè)試系統(tǒng)具有高測(cè)試精度、高靈敏度、高可靠性、高安全性的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)碳化硅二極管、MOSFET器件開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間、反向電流及反向恢復(fù)電荷

陜西碳化硅器件測(cè)試儀1、設(shè)備功能 適用于傳統(tǒng)硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

西安靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)商技術(shù)特征 采用32位嵌入式計(jì)算機(jī)，運(yùn)行速度快，擴(kuò)展能力強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)脫機(jī)運(yùn)行 采用高速16位并行D/A、A/D和專用并行內(nèi)部總線技術(shù)設(shè)計(jì)，速度快、穩(wěn)定性高 采用脈沖法測(cè)試參數(shù)

陜西半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)生產(chǎn)廠家1、設(shè)備功能 適用于二極管、三極管、MOS場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、IGBT、整流橋、可控硅、光耦等十三大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試 2、運(yùn)行條件 溫度：25

晶體管測(cè)試儀|晶體管測(cè)試儀主要技術(shù)參數(shù) 系統(tǒng)主要技術(shù)參數(shù)列表如下： 主極電壓 2000V(加選件可擴(kuò)展至3300V) 主極電流 50A(加選件可擴(kuò)展到100

雪崩測(cè)試儀供應(yīng)商一、概述 用于二極管、三極管、MOS管及IGBT等器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測(cè)試。測(cè)試電流可達(dá)到200A，雪崩電壓測(cè)試可達(dá)到5000V。設(shè)備滿足電壓在5000V及以下范圍內(nèi)二極管、

三極管測(cè)試儀服務(wù)1、設(shè)備功能 適用于傳統(tǒng)硅基及SiC二極管、三極管、MOSFET、J-FET、IGBT單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等十九 大類半導(dǎo)體分立器件全靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)適用碳化硅二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。主要技術(shù)參數(shù)：IGBT 開(kāi)關(guān)特性測(cè)試????????????????????????????????????

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功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試<p>&nbsp;適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。<br/>主要技術(shù)參數(shù)：IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試 <br/>

陜西碳化硅測(cè)試儀器生產(chǎn)商<p>適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。<br/>主要技術(shù)參數(shù)：IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試 <br/>開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試條件

碳化硅器件測(cè)試銷售<p>主要技術(shù)參數(shù)：IGBT開(kāi)關(guān)特性測(cè)試 <br/>開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試條件<br/>Ic：50A～1000A&nbsp;&nbsp;&a