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雪崩能量檢測(cè)系統(tǒng)是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)檢測(cè)、二極管、SIC系列MOS管的檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備主要成單元有：泰克示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGB功率器件、IGB器件過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、檢測(cè)夾具、檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)適配器等。該檢測(cè)系統(tǒng)主要用于IGB、FRD、MOS、器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量檢測(cè)。檢測(cè)方法參考MIL-STD-750F.3470，檢測(cè)電流1.0-200A，電壓100-3500V，雪崩能量可達(dá)10J。檢測(cè)的電壓和電流波形同時(shí)被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)經(jīng)過(guò)處理后，將檢測(cè)數(shù)據(jù)以EXCEL 表格形式顯示并進(jìn)行最終的編輯和打印，同時(shí)可觀測(cè)雪崩波形。設(shè)備可滿足各種封裝形式的功率模塊檢測(cè)需求，并預(yù)留電壓電流擴(kuò)展功能。整體采用輪式機(jī)柜集成檢測(cè)，具有簡(jiǎn)潔的人機(jī)交互界面（計(jì)算機(jī)）和良好的保護(hù)措施，操作簡(jiǎn)單，移動(dòng)方便等特點(diǎn)。

技術(shù)參數(shù)：
進(jìn)線電壓 AC220V±10% 功率消耗 1.5KW 電源電壓 VDD 10-200V 分辨率1V,誤差3% 雪崩電壓V(BR)DUT 100-3500V 實(shí)測(cè)范圍值（根據(jù)客戶要求可定制） 雪崩能量 EAS 實(shí)測(cè)1-10J 實(shí)測(cè)計(jì)算值 雪崩電流 IAS 1.0-200A 實(shí)測(cè)值。分辨率1V,誤差3%（根據(jù)客戶要求可定制檢測(cè)范圍） 電感 L 0.1-100mH任選檢測(cè)值，檢測(cè)過(guò)程自動(dòng)執(zhí)行，誤差5% 雪崩電壓波形 近似方波 脈沖寬度 10uS-10000uS 檢測(cè)頻率 單次、步進(jìn)

使用說(shuō)明：
雪崩能量檢測(cè)系統(tǒng)是專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)檢測(cè)、二極管、SIC系列MOS管的檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備主要成單元有：泰克示波器、程控電源、程控電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓控制、IGB功率器件、IGB器件過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、檢測(cè)夾具、檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)適配器等。該檢測(cè)系統(tǒng)主要用于IGB、FRD、MOS、器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量檢測(cè)。檢測(cè)方法參考MIL-STD-750F.3470，檢測(cè)電流1.0-200A，電壓100-3500V，雪崩能量可達(dá)10J。檢測(cè)的電壓和電流波形同時(shí)被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)經(jīng)過(guò)處理后，將檢測(cè)數(shù)據(jù)以EXCEL 表格形式顯示并進(jìn)行最終的編輯和打印，同時(shí)可觀測(cè)雪崩波形。設(shè)備可滿足各種封裝形式的功率模塊檢測(cè)需求，并預(yù)留電壓電流擴(kuò)展功能。整體采用輪式機(jī)柜集成檢測(cè)，具有簡(jiǎn)潔的人機(jī)交互界面（計(jì)算機(jī)）和良好的保護(hù)措施，操作簡(jiǎn)單，移動(dòng)方便等特點(diǎn)。