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結合當今進的半導體技術和精密晶體產品技術，所有振蕩器都是在充以干燥氮氣的情況下，通過電阻焊用金屬外殼和底座進行密封的，它具有標準的DIP14（全尺寸）和DIP8（半尺寸）的引線結構。我們有眾多的頻率規

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壓控晶體振蕩器的輸出頻率可以通過外部控制電壓來偏移或調制，類似于晶體振蕩器， VCXO的頻率—溫度特性也是主要由使用的晶體元件來決定的。

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由于在晶體振蕩器內采用了電子（模擬或數字）補償方式，所以其輸出的頻率隨溫度變化的偏差降低了，TCXO這種振蕩器是根據晶體的頻率—溫度特性，而采用改變晶體負載容量的方式來補償其頻率隨溫度的變化。

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