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一、硅外延的定義 硅外延工藝實際上是一種薄層的單晶生長技術，它是在一定的條件下，在硅單晶的襯底片上，沿單晶的結晶方向生長一層具有一定導電類型，電阻率、厚度、晶格結構與體單晶一致的新單晶層。 二、硅外延生長工藝的優點 1、 生長溫度比它本身的熔點要低 2、 可以獲得純度高、缺陷少的單晶薄層 3、 由于摻雜工藝靈活，可以獲得多種結構的單晶或多層外延便于器件參數結構的調整 三、硅外延工藝的分類 1、 按結構分類 同質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料相同，例如N/N+，P/P+ 異質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料不同，例：SOI(絕緣襯底上外延) 2、 按外延層的厚度和電阻率分類 厚度和電阻率均可按客戶要求控制 3、 按外延生長方法分類 直接法——不經過中間化學反應，硅原子直接從源轉移到襯底片上形成外延層，例：真空濺射法，分子束外延（物理法）液相外延等等 間接法——通過還原或分解硅化合物得到所需要的硅原子，然后在襯底上淀積形成外延層，我們的硅外延就屬于間接生長工藝